Present Status of Deep UV Nitride Light Emitters

Abstract:

Ultraviolet light emitting diodes with emission wavelengths less than 400 nm have been developed using the AlInGaN material system. Rapid progress in material growth, device fabrication and packaging enabled demonstration of deep-UV light-emitting devices with emission from 400 to 210 nm with varying efficiencies. For high aluminum alloy compositions needed for the shorter wavelength devices, these materials border between having material properties like conventional semiconductors and insulators, adding a degree of complexity to developing efficient light emitting devices. This chapter provides a review of III-nitride based UV light emitting devices including technical developments that allow for emission in the ultraviolet spectrum, and an overview of their applications in optoelectronic systems.

• Periodical: Materials Science Forum (Volume 590)
• Pages: 141-174
• DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.590.141
• Online since: August 2008
• Authors: Asif Khan, Krishnan Balakrishnan
• Keywords: AlGaN, AlInGaN, Aluminum Nitride (AlN), Deep UV, Epitaxy, Gallium Nitride (GaN), Growth, Laser Diode, Light Emitting Diode (LED), MOCVD, Pulsed Lateral Overgrowth, UV

References

[1] See for example the Luxeon Rebel offered by Philips Lumileds and X-Lamp LEDs offered by Cree Inc.

[2] B. Steele; Presented at the Strategies in Light Conference, San Francisco, CA. (2006).

[3] www. compoundsemiconductor. net, GaN laser market to break $1 billion by 2011, July 12, (2007).

[4] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. Vol. 48 (1986), p.353.

[5] S. Nakamura : Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 30, p. (1991) L1705.

[6] H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki,: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989), p. L2112.

[7] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 31 (1992), p. L139.

[8] M. Asif Khan, M. Shatalov, H.P. Maruska, H.M. Wang and E. Kuokstis,: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 44 (2005), p.7191.

[9] Asif Khan, K. Balakrishnan and T. Katona, Nature Phontonics Vol. 2 (2008), p.77.

[10] D. Morita, D. Morita, M. Sano, M. Yamamoto, T. Murayama, S. Nagahama and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002), p. L1434.

DOI: 10.1143/jjap.41.l1434

[11] T. Mukai, D. Morita, M. Yamamoto, K. Akaishi, K. Matoba, K. Yasutomo, Y. Kasai, M. Sano, S. Nagahama: Physica Status Solidi (c). Vol. 3 (2005), p.2211.

DOI: 10.1002/pssc.200565354

[12] M.A. Khan, R.A. Skogman, G.M. Van Hove, S. Krishnankutty, and R.M. Kolbas: Appl. Phys. Lett. Vol. 56 (1990), p.1257.

DOI: 10.1063/1.102530

[13] J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, M. Banas, L. Zhang, Y.K. Song, H. Zhou, and A. V. Nurmikko: Appl. Phys. Lett. Vol. 73, (1998), p.1688.

DOI: 10.1063/1.122246

[14] T. Nishida and N. Kobayashi: Phys. Stat. Solidi (a) Vol. 176 (1999), p.45.

[15] A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, Y. Aoyagi, and A. Hirata: Appl. Phys. Lett. Vol. 77 (2000), p.175.

[16] N. Otsuka, A. Tsujimura, Y. Hasegawa, G. Sugahara, M. Kume, and Y. Ban: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39 (2000), p. L445.

[17] M.A. Khan, J. Yang, G. Simin, R. Gaska, M. Shur, H. Loye, G. Tamulaitis, A. Zakauskas, D. Smith and A. Chandrasekhar and R.B. Tassius: Appl. Phys. Lett. Vol. 76 (2000), p.1161.

DOI: 10.1063/1.125970

[18] F. G. McIntosh, K. S. Boutros, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. El-Masry: Appl. Phys. Lett. Vol. 68 (1996), p.40.

DOI: 10.1063/1.116749

[19] H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, Y. Aoyagi: Phys. Stat. Solidi (a) Vol. 188 (2001), p.83.

[20] J. Han, J. J. Figiel, G. A. Petersen, S. M. Myers, M. H. Crawford, M. A. Banas: Jpn. J. Apll. Phys. Vol. 39 (2000), p.2372.

[21] M. Shatalov, A. Chitnis, V. Adivarahan, A. Lunev, J. Zhang, J. W. Yang, Q. Fareed, G. Simin, A. Zakheim, M. A. Khan, R. Gaska, and M. S. Shur: Appl. Phys. Lett. Vol. 78 (2001), p.817.

DOI: 10.1063/1.1343493

[22] H. Hirayama, A. Kinoshita, T. Yamabi, Y. Enomoto, A. Hirata, T. Araki, Y. Nanishi, and Y. Aoyagi: Appl. Phys. Lett. Vol. 80 (2002), p.207.

DOI: 10.1063/1.1433162

[23] J. P. Zhang, V. Adivarahan, H. M. Wang, Q. Fareed, E. Koukstis, A. Chitnis, M. Shatalov, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, M. S. Shur, R. Gaska: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 40 (2001), p. L921.

DOI: 10.1143/jjap.40.l921

[24] J. P. Zhang, E. Kuokstis, Q. Fareed, H. Wang, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, R. Gaska, and M. S. Shur: Appl. Phys. Lett. Vol. 79 (2001), p.925.

DOI: 10.1063/1.1392301

[25] A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, Y. Aoyagi, A. Hirata: Appl. Phys. Lett. Vol. 77 (2000), p.175.

[26] T. Nishida, H. Saito, K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi,; IPAP Conference Series 1, Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2000), IPAP Conf. Series 1 p.725.

[27] P. Lefebvre, B. Gil, J. Allegre, H. Mathieu, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies: MRS Inter. J. Nit. Semi. Res. Vol. 4S1 (1999), G3. 69.

[28] P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, R. Ramsteriner, M. Rieche and K.H. Ploog: Nature Vol. 406 (2000), p.865.

DOI: 10.1038/35022529

[29] F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt: Phys. Rev. B. Vol, 56 (1997), p. R10024.

[30] T. M. Smeeton, C. J. Humphreys, J. S. Barnard, and M. J. Kappers, J. Mater. Sci. Vol. 41 (2006), p.2729.

[31] N. Otsuka, A. Tsujimura, Y. Hasegawa, G. Sugahara, M. Kume and Y. Ban: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39 (2000), p. L445.

[32] K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu, and H. Seki: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 40 (2001), p. L140.

DOI: 10.1143/jjap.40.l140

[33] J. Edmond, A. Abare, M. Bergman, J. Bharathan, K. L. Bunker, D. Emerson, K. Haberern, J. Ibbetson, M. Leung, P. Russel, and D. Slater: J. Cryst. Growth Vol. 272 (2004), p.242.

DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.056

[34] S. R. Jeon, M. Gherasimova, Z. Ren, J. Su, G. Cui, J. Han, H. Peng, Y. K. Song, A. V. Nurmikko, L. Zhou, W. Goetz, and M. Krames: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 43 (2004), p. L1409.

DOI: 10.1143/jjap.43.l1409

[35] Thomas H. Jeys, Louis Desmarais, Eric J. Lynch, and Juan R. Ochoa: Proceedings of SPIE - Volume 5071 Sensors, and Command, Control, Communications, and Intelligence (C3I) Technologies for Homeland Defense and Law Enforcement II, Sept. 2003, p.234.

DOI: 10.1117/12.500858

[36] Y. Ohba and A. Hatano: Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, (1996), p. L1013.

[37] Y. Ohba, R. Sato and K. Kaneko: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 40 (2001), p. L1293.

[38] V. Adivarahan, A. Chitnis, J. P. Zhang, M. Shatalov, J. W. Yang, G. Simin, and M. Asif Khan, R. Gaska and M. S. Shur: Appl. Phys. Lett. Vol. 79 (2001), p.4240.

DOI: 10.1063/1.1425453

[39] M. A. Khan, V. Adivarahan, J. P. Zhang, C. Q. Chen. E. Kuokstis, A. Chitnis, M. Shatalov, J. W. Yang, G. Simin: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001), p. L1308.

DOI: 10.1143/jjap.40.l1308

[40] J. P. Zhang, H. M. Wang, M. E. Gaevski, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, and. M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. Vol. 80 (2002), p.3542.

[41] V. Adivarahan, S. Wu, A. Chitnis, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, M. Shatalov, J. P. Zhang, M. A. Khan, G. Tamulaitis, A Sereika, I. Yilmaz, M. S. Shur and R. Gaska: Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), p.3666.

DOI: 10.1063/1.1519100

[42] M. Shatalov, M. Gaevski, V. Adivarahan and Asif Khan: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006), p. L1286.

DOI: 10.1143/jjap.45.l1286

[43] Q. Fareed, V. Adivarahan, M. Gaevski, T. Katona, J. Mei, F.A. Ponce, and Asif Khan: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 46 (2007), p. L 537.

[44] M. Asif Khan, M. Shatalov, H.P. Maruska, H.M. Wang and E. Kuoktis: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 44 (2007), p.7191.

[45] M. Bockowski, I. Grzegory, S. Krukowski, B. Lucznik, M. Wroblewski, G. Kamler, J. Borysiuk, P. Kwiatkowski, K. Jasik, S. Powrowski: J. Crystal Growth, Vol. 270 (2004), p.409.

DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.06.060

[46] W. Zhang and B. K. Meyer: Phys. Stat. Solidi (c) Vol. 0 (2003), p.1571.

[47] J. C. Rojo, G. A. Slack, K. Morgan, B. Raghothamacher, M. Dudley, L. Schowalter: J. Crystal Growth Vol. 231 (2001), 317.

[48] S. T. Kim, Y. J. Lee, D. C. Moon, C. H. Hong, and T. K. Yoo: J. Cryst. Growth Vol. 194 (1998), p.37.

[49] S. Kamiyama, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Kaneko, and N. Yamada: J. Cryst. Growth Vol. 223 (2001), p.83.

DOI: 10.1016/s0022-0248(00)01017-4

[50] J. Han, K. E. Waldrip, S. R. Lee, J. J. Figiel, S. J. Hearne, G. A. Petersen, and S. M. Myers: Appl. Phys. Lett. Vol. 78, (2001), p.67.

[51] H. Gao, and W. D. Nix: Annu. Rev. Mater. Sci. Vol. 29 (1999), p.173.

[52] M. A. Khan, R. A. Skogman, J. M. Van Hove, D. T. Olson, and J. N. Kuznia: Appl. Phys. Lett. Vol. 60, (1992), p.1366.

[53] M. A. Khan, J. N. Kuznia, R. A. Skogman, D. T. Olson, M. MacMillan, and W. J. Choyke: Appl. Phys. Lett. Vol. 61, (1992), p.2539.

[54] M. A. Khan, J. N. Kuzina, D. T. Olson, T. George, and W. T. Pike: Appl. Phys. Lett. Vol. 63, (1993), p.3470.

[55] A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont, and M. S. Shur: J. Appl. Phys. Vol. 81 (1997), p.6332.

[56] H. M. Wang, J. P. Zhang, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), p.604.

[57] J. P. Zhang, M. A. Khan, W. H. Sun, H. M. Wang, C. Q. Chen, Q. Fareed, E. Kuokstis, and J. W. Yang: Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), p.4392.

[58] J. Mickevicius, R. Aleksiejunas, M. S. Shur, G. Tamulaitis, Q. Fareed, J. P. Zhang, R. Gaska, and M. A. Khan: Phys. Stat. Sol. (a) Vol. 202 (2005), p.126.

DOI: 10.1002/pssc.200461531

[59] W. Sun, V. Adivarahan, M. Shatalov, Y. Lee, S. Wu, J. Yang, J. Zhang, and M. A. Khan: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 43 (2004), p. L1419.

DOI: 10.1143/jjap.43.l1419

[60] J. P. Zhang, X. Hu, Y. Bilenko, J. Deng, A. Lunev, R. Gaska, M. Shatalov, J. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. Vol. 85 (2004), p.5532.

DOI: 10.1063/1.1831557

[61] S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki: Opto- Electron. Review Vol. 10 (2002), p.225.

[62] Y. Kawaguchi, G. Sugahara, A. Mochida, T. Shimamoto, A. Ishibashi, and T. Yokogawa: Phys. Stat. Solidi (c) Vol. 0 (2003), p.2107.

DOI: 10.1002/pssc.200303412

[63] R. Gaska, C. Chen, J. Yang, E. Kuokstis, A. Khan, G. Tamulaitis, I. Yilmaz, M. S. Shur, J. C. Rojo, and L. Schowalter: Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), p.4658.

DOI: 10.1063/1.1524034

[64] J.C. Rojo, L.J. Schowalter, R. Gaska, M. Shur, M.A. Khan, J. Yang, and D.D. Koleske: J. Crystal Growth Vol. 240 (2002), p.508.

DOI: 10.1016/s0022-0248(02)01078-3

[65] X. Hu, J. Deng, N. Pala, R. Gaska, M. S. Shur, C. Q. Chen, J. Yang, S. Simin, A. Khan, C. Rojo, and L. Schowalter: Appl. Phys. Lett. Vol. 82 (2003), p.1299.

DOI: 10.1063/1.1555282

[66] T. Nishida, T. Makimoto, H. Saito and T. Ban: Appl. Phys. Lett. Vol. 84 (2004), p.1002.

[67] E. Silveira, J. A. Freitas, Jr., M. Kneissl, D. W. Treat, N. M. Johnson, G. A. Slack and L. J. Schowalter: Appl. Phys. Lett. Vol. 84 (2004), p.3501.

DOI: 10.1063/1.1738929

[68] Z. Chen, R. S. Qhalid Fareed, M. Gaevski, V. Adivarahan, J. W. Yang,M. Asif Khan, J. Mei, and F. A. Ponce: Appl. Phys. Lett. Vol. 89 (2006), p.081905.

DOI: 10.1063/1.2245436

[69] K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akaskai: Jpn. J. Appl. Phys. 46, (2007), p. L307.

[70] M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, and A. Bandoh: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 46 (2007), p.1458.

DOI: 10.1143/jjap.46.1458

[71] N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh: J. Cryst. Growth, Vol. 300 (2007), p.141.

DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.025

[72] N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, N. Okada, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh: J. of Cryst. Growth, Vol. 300 (2007), p.215.

DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.044

[73] M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, and A. Bandoh: Vol. 45(2006), p.8369.

DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.043

[74] N. Okada, N. Fujimoto, T. Kitano, G. Narita, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh: Vol. 45(2006), p.2502.

DOI: 10.1143/jjap.45.2502

[75] M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh: Appl. Phys. Lett. Vol. 89 (2006), p.221901.

DOI: 10.1063/1.2364460

[76] W. Shan, J. W. Ager III, K. M. Yu, W. Walukiewicz, E. E. Haller, M. C. Martin, W. R. McKinney, and W. Yang: Appl. Phys. Lett. Vol. 85 (1999), p.8505.

[77] L. Malikova, Y. S. Huang, F. H. Pollack, Z. C. Feng, M. Schurman, and R. A. Stall: Solid State Commun. Vol. 103, (1997), p.273.

[78] X. Guo and E. F. Schubert: Appl. Phys. Lett. Vol. 78 (2001), p.3337.

[79] J. P. Zhang, H. M. Wang, W. H. Sun, V. Adivarahan, S. Wu, A. Chitnis, C. Q. Chen, M. Shatalov, E. Kuokstis, J. W. Yang, and M. A. Khan: J. Electron. Materials Vol. 32 (2003), p.364.

[80] J. Hwang, W. J. Schaff, L. F. Eastman, S. T. Bradley, L. J. Brillson, D. C. Look, J. Wu, W. Walukiewicz, M. Furis and A. N. Cartwright: Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), p.5192.

DOI: 10.1063/1.1534395

[81] K. H. Kim, J. Li, S. X. Jin, J. Y. Lin, and H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. Vol. 83 (2003), p.566.

[82] A. Saxler, W. C. Mitchel, P. Kung, and M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. Vol. 74 (1999) p. (2023).

[83] T. Wang, Y. H. Liu, Y. B. Lee, J. P. Ao, J. Bai, and S. Sakai: Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), p.2508.

[84] P. Kozodoy, Y. P. Smorchkova, M. Hansen, H. Xing, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, A. W. Saxler, R. Perrin, and W. C. Mitchell: Appl. Phys. Lett. Vol. 75 (1999), p.2444.

DOI: 10.1063/1.125042

[85] T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi: Appl. Phys. Lett. Vol. 79 (2001), p.711.

[86] H. Peng, E. Makarona, Y. He, Y. K. Song, A. V. Nurmikko, J. Su, Z. Ren, M. Gherasimova, S. R. Jeon, G. Cui, and J. Han: Appl. Phys. Lett. Vol. 85 (2004), p.1436.

DOI: 10.1063/1.1784537

[87] P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. Vol. 74 (1999), p.3681.

[88] I. D. Goepfert, E. F. Schubert, A. Osinski, P. E. Norris, and N. N. Faleev: J. Appl. Phys. Vol. 18 (2000), p. (2030).

[89] M. S. Shur, A. D. Bykhovski, and R. Gaska, J. W. Yang, G. Simin, and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. Vol. 76 (2000), p.3061.

DOI: 10.1063/1.126579

[90] M. Shatalov, G. Simin, J. P. Zhang, V. Adivarahan, A. Koudymov, R. Pachipulusu, and M. A. Khan: IEEE Electron Dev. Lett. Vol. 23 (2002), p.452.

DOI: 10.1109/led.2002.801295

[91] J. P. Zhang, A. Chitnis, V. Adivarahan, S. Wu, V. Mandavilli, R. Pachipulusu, M. Shatalov, G. Simin, J. W. Yang, and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), 4910.

DOI: 10.1063/1.1531835

[92] J. P. Zhang, S. Wu, S. Rai, V. Mandavilli, V. Adivarahan, A. Chitnis, M. Shatalov, and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. Vol. 83 (2003), p.3456.

DOI: 10.1063/1.1623321

[93] A. Chitnis, J. P. Zhang, V. Adivarahan, M. Shatalov, S. Wu, R. Pachipulusu, V. Mandavilli and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. Vol. 82 (2003), p.2565.

DOI: 10.1063/1.1569040

[94] W. H. Sun, J. P. Zhang, V. Adivarahan, A Chitnis, M. Shatalov, S. Wu, V. Mandavalli, J. W. Yang, and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. Vol. 85 (2004), p.531.

[95] V. Adivarahan, S. Wu, J. P. Zhang, A. Chitnis, M. Shatalov, V. Mandavilli, R. Gaska, and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. Vol. 84 (2004), p.4762.

DOI: 10.1063/1.1756202

[96] A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, D. Shiell, L. Gautero, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. Vol. 83 (2003), p.4701.

DOI: 10.1063/1.1633019

[97] A. J. Fischer, A. A. Allerman, M. H. Crawford, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, R.J. Kapler, W. W. Chow, S. R. Kurtz, K. W. Fullmer, and J. J. Figiel: Appl. Phys. Lett. Vol. 84 (2004), p.3394.

DOI: 10.1063/1.1728307

[98] M. L. Nakarmi, K. H. Kim, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. Vol. 82 (2003), 3041.

[99] A. Chitnis, V. Adivarahan, M. Shatalov, J. P. Zhang, M. Gaevski, Wu Shuai, R. Pachipulusu, J. Sun, K. Simin, G. Simin, J. W. Yang, and M. A. Khan: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002), p. L320.

DOI: 10.1143/jjap.41.l320

[100] A. Chitnis, J. P. Zhang, V. Adivarahan, W. Shuai, J. Sun, M. Shatalov, J. W. Yang, G. Simin, and M. A. Khan: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002), p. L450.

DOI: 10.1143/jjap.41.l450

[101] M. Shatalov, G. Simin, V. Adivarahan, A. Chitnis, S. Wu, R. Pachipulusu, K. Simin,J. P. Zhang, J. W. Yang, and M. A. Khan, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002), p.5083.

DOI: 10.1143/jjap.41.5083

[102] M. Shatalov, J. P. Zhang, A. Chitnis, V. Adivarahan, J. W. Yang, G. Simin, and M. A. Khan: IEEE Sel. Topics in Quant. Electron. Vol. 8 (2002), p.302.

DOI: 10.1109/2944.999185

[103] A. Chitnis, S. Jason, V. Mandavilli, R. Pachipulusu, S. Wu, M. Gaevski, V. Adivarahan, J. P. Zhang, M. A. Khan, A. Sarua and M. Kuball: Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), p.3491.

DOI: 10.1063/1.1518155

[104] A. Chitnis, V. Adivarahan, J. Zhang, M. Shatalov, S. Wu, J. Yang, G. Simin, M. A. Khan, X. Hu, Q. Fareed, R. Gaska, and M. S. Shur: Phys. Stat. Solidi (a) Vol. 200 (2003), p.99.

DOI: 10.1002/pssa.200303420

[105] V. Adivarahan, J. P. Zhang, A. Chitnis, W. Shuai, J. Sun, R. Pachipulusu, M. Shatalov, and M. A. Khan: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002), p. L435.

DOI: 10.1143/jjap.41.l435

[106] A. Chitnis, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, M. Shatalov, E. Kuokstis, J. P. Zhang, V. Adivarahan, S. Wu, G. Simin, and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), p.2938.

DOI: 10.1063/1.1516631

[107] A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, P. Kung and M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), p.801.

DOI: 10.1063/1.1497709

[108] T. G. Zhu, J. C. Denyszyn, U. Chowdhury, M. M. Wong, and R. D. Dupuis: IEEE Sel. Topics in Quant. Electron. Vol. 8 (2002), p.298.

[109] T. G. Zhu, U. Chowdhury, J. C. Denyszyn, M. M. Wong, R. D. Dupuis: J. Cryst. Growth Vol. 248 (2003), p.548.

[110] A. Hanlon, P. M. Pattison, J. F. Kaeding, R. Sharma, P. Fini and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42 (2003), p. L628.

DOI: 10.1143/jjap.42.l628

[111] G. Kipshidze, V. Kuryatkov, B. Borisov, M. Holtz, S. Nikishin and H. Temkin: Appl. Phys. Lett. Vol. 80 (2001), p.3682.

DOI: 10.1063/1.1480886

[112] G. Kipshidze, V. Kuryatkov, K. Zhu, B. Borisov, M. Holtz, S. Nikishin and H. Temkin: J. Appl. Phys. Vol. 93 (2003), p.1363.

DOI: 10.1063/1.1535255

[113] V. Kuryatkov, K. Zhu, B. Borisov, A. Chandolu, I. Gherasoiu, G. Kipshidze, S. N. G. Chu, M. Holtz, Y. Kudryavtsev, R. Asomoza, S. Nikishin and H. Temkin: Appl. Phys. Lett. Vol. 83 (2003), p.1319.

DOI: 10.1063/1.1603333

[114] S. A. Nikishin, V. V. Kuryatkov, A. Chandolu, B. A. Borisov, G. D. Kipshidze, I. Ahmad, M. Holtz and H. Temkin: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42 (2003), p. L1362.

DOI: 10.1143/jjap.42.l1362

[115] M. Shatalov, A. Chitnis, V. Mandavilli, R. Pachipulusu, J. P. Zhang, V. Adivarahan, S. Wu, G. Simin, M. A. Khan, G. Tamulaitis, A. Sereika, I. Yilmaz, M. S. Shur and R. Gaska: Appl. Phys. Lett. Vol. 82 (2003), p.167.

DOI: 10.1063/1.1536729

[116] K. Mayes, A. Yasan, R. McClintock, D. Shiell, S. R. Darvish, P. Kung and M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. Vol. 84 (2004), p.1046.

DOI: 10.1063/1.1647273

[117] A. A. Allerman, M. H. Crawford. A. J. Fischer, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, D. M. Follstaedt, P.P. Provencio, and D. D. Koleske: J. Cryst. Growth Vol. 272 (2004), p.227.

DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.035

[118] K. H. Kim, Z. Y. Fan, M. Khizar, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. Vol. 85 (2004), p.4777.

[119] Yu. Bilenko, A. Lunev, X. Hu, J. Deng, T. M. Katona, J. P. Zhang, R. Gaska, M. S. Shur, W. H. Sun, V. Adivarahan, M. Shatalov, and M. A. Khan: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 44 (2005), p. L98.

DOI: 10.1143/jjap.44.l98

[120] V. Adivarahan, W. H. Sun, A. Chitnis, M. Shatalov, S. Wu, H. P. Maruska, and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. Vol. 85 (2004), p.2175.

DOI: 10.1063/1.1796525

[121] V. Adivarahan, S. Wu, W. H. Sun, V. Mandavilli, M. S. Shatalov, G. Simin, J. W. Yang, H. P. Maruska, and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. Vol. 85 (2004), p.1838.

DOI: 10.1063/1.1784882

[122] S. Wu, V. Adivarahan, M. Shatalov, A. Chitnis, W. -H. Sun, and M. A. Khan: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 43 (2004), p. L1035.

DOI: 10.1143/jjap.43.l1035

[123] R. A. Mair, K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, B. Zhang, L. Dai, H. Tang, A. Botchkarev, W. Kim, and H. Morkoc: Appl. Phys. Lett. Vol. 71 (1997), p.2898.

[124] S. X. Jin, J. Li, J. Z. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. Vol. 76 (2000), p.632.

[125] M. Boroditsky, T. F. Krauss, R. Coccioli, R. Vrijen, R. Bhat, and E. Yablonovitch: Appl. Phys. Lett. Vol. 75 (1999), p.1036.

DOI: 10.1063/1.124588

[126] T. N. Oder, J. Shakya, J. Y. Lin and H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. Vol. 83 (2003), p.1231.

[127] T. N. Oder, K. H. Kim, J. Y. Lin and H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. Vol. 84, (2004), p.466.

[128] M. A. Khan, S. Wu, W. Sun, A. Chitnis, V. Adivarahan, M. Shatalov, and J. Yang: Proc. of IEEE International Electron Devices Meeting, San Francisco, CA, December 13- 15, (2004).

DOI: 10.1109/iedm.2004.1419153

[129] J. Deng, Y. Bilenko, A. Lunev, X. Hu, T. M. Katona, J. Zhang, M.S. Shur, and R. Gaska: Vol. 46 (2007), p. L142.

[130] S. Taniyasu, M. Kasu and T. Makimoto: Nature Vol. 441 (2006), p.325.

[131] X. Guo and E. F. Schubert: Appl. Phys. Lett. Vol. 78 (2001), p.3337.

[132] V. Adivarahan, S. Wu, W. H. Sun, V. Mandavilli, M. S. Shatalov, G. Simin, J. W. Yang, H. P. Maruska, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. Vol. 85 (2004), p.1838.

DOI: 10.1063/1.1784882

[133] R.A. Mair, K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, B. Zhang and L. Dai, H. Tang, A. Botchkarev, W. Kim, and H. Morkoç Appl. Phys. Lett. Vol. 71 (1997), p.2898.

DOI: 10.1063/1.120209

[134] Jin, S.X., Li, J., Li, J.Z., Lin, J.Y. & Jiang, H.X. Appl. Phys. Lett. Vol. 76, (2000), p.631.

[135] C.W. Jeon, E. Gu and Dawson, Appl. Phys. Lett. Vol. 86, (2005), p.221105.

[136] M. Boroditsky, T. F. Krauss, R. Coccioli, R. Vrijen, R. Bhat, and E. Yablonovitch, Appl. Phys. Lett. Vol. 75 (1999), p.1036.

DOI: 10.1063/1.124588

[137] T.N. Oder, J. Shakya, J.Y. Lin and H.X. Jiang, Appl. Phys. Lett. Vol. 83 (2003) p.1231.

[138] T.N. Oder, H.H. Kim, J.Y. Lin, H.X. Jiang, Appl. Phys. Lett. Vol. 84, (2004), p. (2004).

[139] Asif Khan: phys. Stat. Sol. (a) Vol. 203 (2006), p.1764.

[140] S. Nakamura: Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 482 (1998), p.1145.

[141] I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka and M. Koike: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 34 (1995), p. L1517.

DOI: 10.7567/jjap.34.l1517

[142] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35 (1996), p. L74.

DOI: 10.1143/jjap.35.l74

[143] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35 (1996), p. L217.

DOI: 10.1143/jjap.35.l217

[144] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Appl. Phys. Lett. Vol. 68 (1996), p.2105.

DOI: 10.1063/1.116570

[145] S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 40 (2001), p. L785.

[146] S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 40 (2001), p. L788.

[147] S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002), p.5.

[148] M. Kneissl, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyshita and M. Johnson: Appl. Phys. Lett. Vol. 82 (2003), p.2386.

[149] T. Saitoh, M. Kumagai, H. Wang, T. Tawara, T. Nishida, T. Akasaka and N. Kobayashi: Appl. Phys. Lett. Vol. 82 (2003), p.4426.

[150] C. Marinelli, M. Bordovsky, L. J. Sargent, M. Gioannini, J. M. Rorison, R. V. Penty, I. H. White, P. J. Heard, M. Benyoucef, M. Kubal, G. Hasnain, T. Takeuchi and R. P. Schneider: Appl. Phys. Lett. Vol. 79 (2001), p.4076.

DOI: 10.1063/1.1424061

[151] J. Cho, S. Cho, B. J. Kim, S. Chae, C. Sone, O. H. Nam, J. W. Lee, Y. Park and T. I. Kim: Appl. Phys. Lett. Vol. 76 (2000), p.1489.

DOI: 10.1063/1.126072

[152] H. Wang, M. Kumagai, T. Tawara, T. Nishida, T. Akasaka, N. Kobayashi and T. Saitoh: Appl. Phys. Lett. Vol. 81 (2002), p.4703.

[153] S. Nagahama, N. Ivasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39 (2000), p. L647.

DOI: 10.1143/jjap.39.l647

[154] T. Asano, M. Takeya, T. Tojyo, T. Mizuno, S. Ikeda, K. Shibuya, T. Hino, S. Uchida and M. Ikeda: Appl. Phys. Lett. Vol. 80 (2002), p.3497.

DOI: 10.1063/1.1478157

[155] C. Skierbiszewski, Z. R. Wasilewski, M. Siekacz, A. Feduniewicz, P. Perlin, P. Wisniewski, J. Borysiuk, I. Grzegory, M. Leszcynski, T. Suski and P. Porowski: Appl. Phys. Lett. Vol. 86 (2005), p.011114.

DOI: 10.1063/1.1846143

[156] M. Kneissl, M. Teepe, N, Miyashita, N. M. Johnson, G. D. Chern and R. K. Chang: Appl. Phys. Lett. Vol. 84 (2004), p.2485.

DOI: 10.1063/1.1691494

[157] T. Akasaka, T. Nishida and T. Makimoto: Appl. Phys. Lett. Vol. 84 (2004), p.4104.

[158] S. Masui, Y. Matsuyama, T. Yanamoto, T. Kozaki, S, Nagahama and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 42 (2003), p. L1318.

DOI: 10.1143/jjap.42.l1318

[159] M. Kneissl, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita and N. M. Johnson: Phys. Stat. Sol. (a) Vol. 200 (2003), p.118.

[160] M. Kneissl, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita and N. M. Johnson: Appl. Phys. Lett. Vol. 82 (2003), p.4441.

[161] K. Iida, T. Kawashima, A. Miyzaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki: J. Crystal Growth Vol. 272 (2004), p.270.

DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.052

[162] K. Iida, T. Kawashima, A. Miyzaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 43 (2004), p. L499.

DOI: 10.1143/jjap.43.l499

[163] H. Yoshida, Y. Takagi, M. Kuwabara, H. Amano and Hirofumi Kan: Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46 (2007), p.5782.

[164] O. K. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. Vol. 71 (1997), p.2638.

[165] T. Mukai, K. Takekawa, and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 37 (1998), p. L839.

[166] R. Gaska, Q. Fareed, G. Tamulaitis, I. Yilmaz, M.S. Shur, C. Chen, J. Yang, E. Kuokstis, A. Khan, J.C. Rojo, and L.J. Schowalter, Mat. Res. Soc. Proc. Vol. 764 (2003), C6. 9.

DOI: 10.1557/proc-764-c6.9

[167] Y. He, Y. -K. Song, V. Nurmiko, J. Su, M. Gherasimova, G. Cui and J. Han: Appl. Phys. Lett. Vol. 84 (2004), p.463.

[168] T. Takano, Y. Narita, A. Horiuchi and H. Kawanishi: Appl Phys. Lett. Vol. 84 (2004), p.3567.

[169] T. Takano, Y. Ohtaki, Y. Narita and H. Kawanishi: Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 43 (2004), p. L1258.

[170] M. Shatalov, M. Gaevski, V. Adivarahan and Asif Khan: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 (2006), p. L1286.

DOI: 10.1143/jjap.45.l1286

[171] W. W. Chow and M. Kneissl: J. Appl. Phys. Vol. 98 (2005), p.114502.

[172] H. Kawanishi, M. Senuma and T. Nukui: Appl. Phys. Lett. Vol. 89 (2006), p.041126.

[173] H. Kawanishi, M. Senuma, M. Yamamoto, E. Niikura and T. Nukui: Appl. Phys. Lett. Vol. 89 (2006), p.081121.

DOI: 10.1063/1.2338543