Avalanche Multiplication and Breakdown in 4H-SiC Diodes

Abstract:

Article Preview

Info:

Periodical:

Materials Science Forum (Volumes 457-460)

Edited by:

Roland Madar, Jean Camassel and Elisabeth Blanquet

Pages:

1069-1072

Citation:

B.K. Ng et al., "Avalanche Multiplication and Breakdown in 4H-SiC Diodes", Materials Science Forum, Vols. 457-460, pp. 1069-1072, 2004

Online since:

June 2004

Export:

Price:

$38.00

[1] A. O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell and U. Lindefelt: App. Phys. Lett. Vol. 71 (1997) p.90.

[2] S. A. Plimmer, J. P. R. David, D. C. Herbert, T. W. Lee, G. J. Rees, P. A. Houston, R. Grey, P. N. Robson, A. W. Higgs and D. R. Wight: IEEE Trans. Electron Devices Vol. 43 (1996) p.1066.

DOI: https://doi.org/10.1109/16.502416

[3] K. F. Li, D. S. Ong, J. P. R. David, R. C. Tozer, G. J. Rees, P. N. Robson and R. Grey: Electron. Lett. Vol. 34 (1998) p.125.

[4] B. K. Ng, F. Yan, J. P. R. David, R. C. Tozer, G. J. Rees, C. Qin and J. H. Zhao: IEEE Photon. Technol. Lett. Vol. 14 (2002) p.1342.

[5] B. K. Ng, J. P. R. David, R. C. Tozer, G. J. Rees, F. Yan, J. H. Zhao and M. Weiner: IEEE Trans. Electron Devices Vol. 50 (2003) p.1724.

[6] D. S. Ong, K. F. Li, G. J. Rees, J. P. R. David and P. N. Robson: J. Appl. Phys. Vol. 83 (1998) p.3426.

[7] C. H. Tan, J. C. Clark, J. P. R. David, G. J. Rees, S. A. Plimmer, R. C. Tozer, D. C. Herbert, D. J. Robbins, W. Y. Leong and J. Newey: Appl. Phys. Lett. Vol. 76 (2000) p.3926.

DOI: https://doi.org/10.1063/1.126823

[8] B. K. Ng, J. P. R. David, S. A. Plimmer, G. J. Rees, R. C. Tozer, M. Hopkinson and G. Hill: IEEE Trans. Electron Devices Vol. 48 (2001) p.2198.

[9] R. J. McIntyre: IEEE Trans. Electron Devices Vol. ED-13 (1966) p.164.

[10] S. A. Plimmer, J. P. R. David D. S. Ong: IEEE Trans. Electron Devices Vol. 47 (2000) p.1080.